IPD85P04P4L06ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD85P04P4L06ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-313 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 85A, 10V |
Verlustleistung (max) | 88W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 85A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD85P04 |
IPD85P04P4L06ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD85P04P4L06ATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-252
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
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MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD85P04P4L06ATMA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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